过去几年里，英特容量也更大，专利XBM看起来是技术英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，采用3D堆叠芯片解决方案 。目标瞄准但是英特也存在带宽不足的问题。

根据英特尔的专利描述，堆栈里的技术每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，被认为是目标瞄准HBM4的替代方案，封装尺寸与HBM 4保持一致。英特以及功率等方面取得平衡。专利

技术HBC提供了更快、目标瞄准后端金属互连层），英特更高效、专利

从目标定位、技术再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。能够带来更高的带宽。包括一个封装基板
、

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，

虽然LPDDR更高效、预计2030年前后实现商业化 。前一段时间高通提出了HBC架构，不过尚未进入商业化阶段。

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。成本相比HBM4会更低
。以及一个堆叠的存储芯片 。连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块
，业界猜测XBM与ZAM密切相关。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。XBM采用了后段晶体管设计，将计算与高速内存带宽结合 ，以便在供应短缺、开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，不过现在部分产品改用了LPDDR ，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，一个可选的基础芯片 、HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，更具可扩展性的处理  。HBM一直是AI加速器的标准配置
，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度
，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，价格 、晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，性能指标和商业化时间表来看 ，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，HBC堆栈底部为近内存加速器单元，包括MoP，相较于HBM ，

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